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반도체 장치는, 실리콘 기판, 화합물 반도체 물질, 상기 실리콘 기판과 상기 화합물 반도체 물질 사이의 절연성 물질, 및 전기적인 연결의 수단과 패시베이션 물질을 구비한 상부면을 포함하고, 상기 패시베이션 물질은, 실리콘 나이트라이드, 실리콘 다이옥사이드, 또는 이 둘의 조합물이다. 본 발명은, 표면 실장형 장치의 히트 싱크와 후면 사이의 두꺼운 전기적인 절연체에 대한 필요성을, 상기 장치의 실리콘 기판을 전기적으로 절연하도록 AlN 시드층을 개재시킴으로써 제거한다. 또한, 상기 장치의 측벽은, 상기 장치의 활성 영역으로부터 전기적으로 격리된다. |
