发明名称 Flashspeicherbauelement mit Mehrpegelzelle sowie Lese- und Programmierverfahren
摘要 Es wird ein Flashspeicherbauelement mit Mehrpegelzelle sowie ein Lese- und Programmierverfahren hierfür zur Verfügung gestellt. Das Flashspeicherbauelement mit Mehrpegelzelle umfasst ein Speicherzellenfeld, eine Einheit zum Vorladen einer Bitleitung, eine Bitleitungsspannungsversorgungsschaltung zum Versorgen der Bitleitung mit einer Spannung und eine erste bis dritte Zwischenspeicherschaltung, welche voneinander verschiedene Funktionen ausführen. Die Lese- und Programmierverfahren werden durch LSB- und MSB-Lese- und -Programmiervorgänge ausgeführt. Ein Leseverfahren im Speicherbauelement wird durch ein zweimaliges Lesen eines LSB und durch ein einmaliges Lesen eines MSB umgesetzt. Ein Programmierverfahren wird durch einmaliges Programmieren eines LSB und einmaliges Programmieren eines MSB umgesetzt. Daten mit Mehrfachpegeln können in die Speicherzellen durch zweimalige Programmiervorgänge programmiert werden.
申请公布号 DE102004033443(A1) 申请公布日期 2005.02.24
申请号 DE200410033443 申请日期 2004.07.08
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 KIM, DONG-HWAN;LEE, YEONG-TAEK
分类号 G11C16/06;G11C11/56;G11C16/02;G11C16/04;G11C16/30;(IPC1-7):G11C16/00;G11C16/10 主分类号 G11C16/06
代理机构 代理人
主权项
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