制作半导体元件的方法

摘要

本发明是有关于一种制作半导体元件的方法，包含形成第一牺牲层于欲蚀刻的第一层上，其中第一牺牲层具有复数个贯穿第一牺牲层的孔洞，且每一孔洞使第一层对应孔洞的部分曝露于外；形成第一光阻层于第一牺牲层上，且第一光阻层填充贯穿第一牺牲层的孔洞；形成复数个开口于该第一光阻层上，每一开口叠于孔洞上，其中每一孔洞的截面积小于每一开口的截面积；以及藉由第一牺牲层上的孔洞与第一光阻层上的开口蚀刻第一层，更包含曝露第一层于蚀刻溶剂中。本发明制作半导体元件的方法可以降低孔洞间距的比例，进而能够增加所形成孔洞的密度。

主权项

1、一种制作半导体元件的方法，其特征在于其包括以下步骤：形成一第一牺牲层于一欲蚀刻的第一层上，其中该第一牺牲层具有复数个贯穿该第一牺牲层的孔洞，且该些孔洞使该第一层上对应该些孔洞的部分曝露于外，其中所述的第一牺牲层具有一光阻剂，藉由对该光阻剂进行处理用以降低其对溶剂的溶解度以及提高其抗蚀刻性；形成一第一光阻层于该第一牺牲层上，且该第一光阻层填充该贯穿该第一牺牲层的该些孔洞；形成复数个开口于该第一光阻层上，其中该第一光阻层上的每一该些开口会涵盖该第一牺牲层上该些孔洞中的其中一个，其中每一孔洞的截面积小于每一开口的截面积；以及藉由该第一牺牲层上的该些孔洞以及该第一光阻层上的该些开口蚀刻该第一层，并曝露该第一层于一蚀刻剂中。