发明名称 |
阵列基板及其形成方法 |
摘要 |
本发明提供一种利用激光剥除工艺形成阵列基板的方法。利用导电层与其它材料的附着强度的差异,本发明可选择性地图案化导电层而不需额外光掩模。此外,本发明也提供一种阵列基板,其上表面的无机保护层与导电层交界处基本上为连续结构且彼此嵌合。 |
申请公布号 |
CN100470760C |
申请公布日期 |
2009.03.18 |
申请号 |
CN200610110716.2 |
申请日期 |
2006.08.07 |
申请人 |
友达光电股份有限公司 |
发明人 |
石志鸿;黄明远;杨智钧 |
分类号 |
H01L21/82(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;G02F1/136(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/82(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陶凤波 |
主权项 |
1. 一种阵列基板的形成方法,包括:分别形成接触垫、薄膜晶体管、像素区和储存电容在基板上;形成第一光致抗蚀剂层在该接触垫、该薄膜晶体管、该像素区和该储存电容上;图案化该第一光致抗蚀剂层以露出该像素区、该薄膜晶体管的部分源极区或漏极区、该储存电容的部分上电极和部分该接触垫;沉积导电层在该第一光致抗蚀剂层和露出的该像素区、部分该源极区或漏极区、部分该上电极和部分该接触垫上;并且进行激光剥除工艺,移除该第一光致抗蚀剂层上的该导电层,并留下该像素区、部分该源极区或漏极区、部分该上电极和部分该接触垫上的该导电层。 |
地址 |
中国台湾新竹市 |