发明名称 |
一种基于氮化镓LED和量子点技术的全彩色高分辨率微显示芯片 |
摘要 |
本发明涉及半导体光电子技术领域,具体涉及一种基于氮化镓LED和量子点技术的全彩色高分辨率微显示芯片,所述该芯片利用氮化镓基LED的发光来激发尺度不同的硒化镉(CdSe)量子点(QD)分别产生红,绿,蓝三元色,所述该芯片一个像素由红,绿,蓝三个独立发光的微米级LED组成,所述激光发量子点由n-Gan与p-Gan组成,所述激发量子点的Gan基蓝光芯片采用倒装GaN基LED,所述p-GaN 的电极通过键合的方法转移到其它衬底,所述衬底上形成有像素的驱动电路。采用GaN 蓝光芯片激发CdSe量子点产生红,绿,蓝的全彩色微显示器的方案,具有更好的色域覆盖率、色彩控制精确性、红绿蓝色彩纯净度。工艺简单,低成本的优势。 |
申请公布号 |
CN105679196A |
申请公布日期 |
2016.06.15 |
申请号 |
CN201610218194.1 |
申请日期 |
2016.04.11 |
申请人 |
深圳市丽格特光电有限公司 |
发明人 |
刘海明 |
分类号 |
G09F9/33(2006.01)I;H01L33/48(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I |
主分类号 |
G09F9/33(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种基于氮化镓LED和量子点技术的全彩色高分辨率微显示芯片,其特征在于:所述该芯片利用氮化镓基LED的发光来激发尺度不同的硒化镉(CdSe)量子点(QD)分别产生红,绿,蓝三元色,所述该芯片一个像素由红,绿,蓝三个独立发光的微米级LED组成,所述激光发量子点由n‑Gan与p‑Gan组成,所述激发量子点的Gan基蓝光芯片采用倒装GaN基LED,所述p‑GaN 的电极通过键合的方法转移到其它衬底,所述衬底上形成有像素的驱动电路。 |
地址 |
518000 广东省深圳市宝安区石岩街道石新社区塘头大道196号A座16楼-13-19室 |