制造限制性电荷存储器的方法

摘要

一种制造局部限制性电荷存储器的方法，此法可排除鸟喙效应的障碍。布植一倾斜角度的囊袋进入基板以减少短渠道效应所导致的问题。该方法包括提供一在表面形成氧化物－氮化物－氧化物层(oxide－nitride－oxide，ONO)的半导体基板。一第一层多晶硅沉积在ONO层之上，第一层多晶硅沿一参考方向被移除，因此，至少有一个栅极结构在曝露出来的ONO层上被形成。一个氧化物间隔沉积到该至少有一处曝露而形成栅极的ONO层的一部分上，没有被氧化物间隔覆盖的一部分被移除，因此曝露出部分基板。至少一条位线形成在该曝露出来的基板上。本发明另一种制造局部限制性电荷存储器的方法，是在移除部分第一层多晶硅后，以一倾斜角度植入一布植囊袋穿过ONO层进入基板。

主权项

1.一种制造限制性电荷存储器的方法，其特征在于，包含下列步骤：提供一半导体基板，于其表面上有一氧化物-氮化物-氧化物层；沉积一第一多晶硅层于氧化物-氮化物-氧化物层上；顺一参考方向移除部分第一多晶硅层，以形成至少一个的栅极结构，曝露出部分的氧化物-氮化物-氧化物层；沉积一间隔氧化物于所述的至少一个的栅极结构的两侧和部分的氧化物-氮化物-氧化物层之上；移除部分没被间隔氧化物覆盖的氧化物-氮化物-氧化物层，以曝露出部分基板；以及于基板被曝露的部分上形成至少一条的位线。