| 发明名称 | 超薄硅上的NROM闪速存储器 | ||
| 摘要 | 以超薄绝缘体上硅结构实现NROM闪存单元。在平面器件中，位于源极/漏极(220，221)区之间的沟道(200)是通常完全耗尽的。氧化物层(210，211)提供了源极/漏极区和上层栅极绝缘体层(207)之间的绝缘。控制栅极(230)形成在栅极绝缘体层上。在垂直器件中，氧化物柱(310)从衬底延伸，在柱的两侧有源极/漏极区(330，331)。外延再生长被用来沿着氧化物柱侧壁形成超薄硅体区(300，301)。在此结构上形成第二源极/漏极区(320，321)。栅极绝缘体(307)和控制栅极(330)形成在上。 | ||
| 申请公布号 | CN1883054A | 申请公布日期 | 2006.12.20 |
| 申请号 | CN200480033836.6 | 申请日期 | 2004.11.16 |
| 申请人 | 微米技术股份有限公司 | 发明人 | L·福布斯 |
| 分类号 | H01L29/792(2006.01) | 主分类号 | H01L29/792(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 张政权 |
| 主权项 | 1、一种NROM晶体管，包含：具有由通常完全耗尽的体区分隔的两个源极/漏极区的超薄绝缘体上硅结构层；形成在源极/漏极区的每一个上的氧化物层；形成在体区和氧化物层上的栅极绝缘体，栅极绝缘体能存储大量电荷；以及形成在栅极绝缘体上的控制栅极。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||