| 发明名称 | 用于低功率条件的半导体存储器设备 | ||
| 摘要 | 一种半导体存储器设备，其用于从存储器单元读取数据或将数据写入存储器单元，包括：至少一个单元阵列，其具有多个存储器单元，用于输出所储存的数据至位线及位线杠中之一，以响应输入地址及命令；至少一个参考单元阵列，用于输出一参考信号至该位线及该位线杠中的另一个；一预充电块，用于预充电该位线及该位线杠为地电位；以及一感测放大块，包括感测放大器，该感测放大器用于通过使用一用于操作该半导体存储器设备的核心电压及一具有比该核心电压高的电压电平的高电压来感测及放大该数据。 | ||
| 申请公布号 | CN100470671C | 申请公布日期 | 2009.03.18 |
| 申请号 | CN200510071182.2 | 申请日期 | 2005.05.20 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 姜熙福 |
| 分类号 | G11C11/409(2006.01)I;G11C11/419(2006.01)I;G11C7/00(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/409(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨红梅 |
| 主权项 | 1. 一种半导体存储器设备，用于从存储器单元读取数据或将数据写入存储器单元，包括：至少一个单元阵列，其具有多个存储器单元，用于输出存储数据至位线及位线杠中的一个，以响应输入地址及命令；至少一个参考单元阵列，用于输出一参考信号至该位线及该位线杠中的另一个；预充电块，用于预充电该位线及该位线杠为地电位；以及感测放大块，包括感测放大器，该感测放大器用于通过使用一用于操作该半导体存储器设备的核心电压和一具有比该核心电压高的电压电平的高电压来感测及放大该数据。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||