サブマウント

摘要

１以上の金属コンタクトがサブマウントの最表面上の凹部領域に形成される。凹部領域における金属コンタクトや金属バンプに損傷を与えないように、ダイ・ボンダのピックアップツールは、サブマウントの凸部周縁領域と係合する。半導体光学サブマウントは、寄生容量を低減するために、金属コンタクトと半導体材料との間に不連続な誘電体層を具備する。