発光半導体素子および発光半導体素子の製造方法

摘要

ビーム放射半導体素子を開示する。このビーム放射半導体素子は、半導体層列（２００）を備えた少なくとも１つの半導体チップ（２）と、実装面（１１）と、ビーム出射面（１０）と、ビームガイド層（３）と、反射体（４）とを有しており、前記半導体層列（２００）は、ビーム生成のために設けられたアクティブ領域（２０）を有しており、前記実装面（１１）には、少なくとも１つの電気的なコンタクト（５１、５２）が、前記半導体チップの外部との接触接続のために形成されており、前記実装面は、前記半導体層列の主要延在面に対して平行に延在しており、前記ビーム出射面（１０）は、前記実装面に対して傾斜して、または、垂直に延在しており、前記ビームガイド層（３）は、前記半導体チップと前記ビーム出射面との間のビーム路内に配置されており、前記反射体（４）は、部分的に、前記ビームガイド層に当接しており、前記半導体素子の平面図において前記半導体チップを覆っている。さらに、ビーム放射半導体素子を製造する方法を開示する。