Halbleiterstruktur mit Reduzierung des Übergangskriechstroms

摘要

Es wird eine Halbleiterstruktur bereitgestellt, die Folgendes enthält: ein Halbleitersubstrat, eine erste Muldenregion, eine zweite Muldenregion, eine aktive Region, eine Shallow Trench Isolation (STI) und mindestens eine Deep Trench Isolation (DTI). Die erste Muldenregion eines ersten Leitfähigkeitstyps befindet sich auf dem Halbleitersubstrat. Die zweite Muldenregion eines zweiten Leitfähigkeitstyps befindet sich auf dem Halbleitersubstrat und neben der ersten Muldenregion. Der zweite Leitfähigkeitstyp ist von dem ersten Leitfähigkeitstyp verschieden. Die aktive Region befindet sich auf der ersten Muldenregion. Die aktive Region hat einen Leitfähigkeitstyp, der der gleich ist wie der zweite Leitfähigkeitstyp der zweiten Muldenregion. Die STI befindet sich zwischen der ersten und der zweiten Muldenregion. Die DTI befindet sich unter der STI. Die DTI ist zwischen mindestens einem Abschnitt der ersten Muldenregion und mindestens einem Abschnitt der zweiten Muldenregion angeordnet.