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Halbleiterspeicheranordnung mit DOLLAR A - einer Wortleitung (50), DOLLAR A - einer ersten Bitleitung (21a), DOLLAR A - zwei zweiten Bitleitungen (22a, 22b), DOLLAR A - einer ersten Speicherzelle (100a) und einer zweiten Speicherzelle (100b), wobei die erste Speicherzelle (100a) an die Wortleitung (50), die erste Bitleitung (21a) und eine der zweiten Bitleitungen (22a) gekoppelt ist und die zweite Speicherzelle (100b) an die Wortleitung (50), die erste Bitleitung (21a) und die andere zweite Bitleitung (22b) gekoppelt ist, und wobei jede Speicherzelle (100a, 100b) ausgebildet ist, ein erstes und ein zweites Bit (101, 102) zu speichern, DOLLAR A - einer Programmiereinheit (2), die an die Wortleitung (50), die erste Bitleitung (21) und die zweiten Bitleitungen (22a, 22b) gekoppelt ist, wobei die Programmiereinheit (2) bewirkt, dass ein erstes Programmierpotenzial (V1) an der Wortleitung (50) und ein drittes Programmierpotenzial (V3) an den zweiten Bitleitungen anliegt, während ein zweites Programmierpotenzial (V2) an die erste Bitleitung (21a) angelegt ist, dass das erste Bit (101) der zweiten Speicherzelle (100b) und das zweite Bit (102) der ersten Speicherzelle (100a) programmiert werden.
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