发明名称 |
发光二极体晶圆、发光二极体晶粒及其制作方法;LIGHT-EMITTING DIODE WAFER, LIGHT-EMITTING DIODE CHIP AND FABRICATING METHODS THEREOF |
摘要 |
一种发光二极体晶圆的制作方法及其成品,该方法首先在透光晶圆的顶面形成具有对位构件、复数个阵列的发光构件与交错排列而区隔出发光构件的预定切割道的磊晶层体;接着于透光晶圆相反于顶面的背面形成对应预定切割道的图案化光阻;再于透光晶圆的背面形成整面的不透明膜层;然后移除图案化光阻及其上的不透明膜层而藉此在透光晶圆背面形成复数个分别对应发光构件位置的不透明块体,藉由上述步骤制得本发明发光二极体晶圆,并在劈裂分离后得到背面具不透明块体且亦能避免爬胶问题产生的发光二极体晶粒。 |
申请公布号 |
TW201541661 |
申请公布日期 |
2015.11.01 |
申请号 |
TW104120767 |
申请日期 |
2012.10.17 |
申请人 |
新世纪光电股份有限公司 GENESIS PHOTONICS INC. |
发明人 |
林政宏 LIN, CHENG HUNG;罗玉云 LO, YU YUN;陈正言 CHEN, CHENG YEN;赖育弘 LAI, YU HUNG |
分类号 |
H01L33/00(2010.01);H01L21/301(2006.01);H01L21/304(2006.01) |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01) |
代理机构 |
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代理人 |
叶璟宗詹东颖刘亚君 |
主权项 |
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地址 |
台南市善化区大利三路5号 TW |