| 发明名称 | 真空处理装置 | ||
| 摘要 | 一种基板处理装置，包括：真空处理容器；分隔件，其由导电材料制成并且将所述真空处理容器的内部分隔成用于产生等离子体的第一空间以及用于通过等离子体处理基板的第二空间；安装在所述第一空间中的用于等离子体产生的高频电极，以及安装在所述第二空间中并且保持所述基板的基板保持机构。所述分隔件具有多个通孔，所述通孔使得所述第一空间和所述第二空间彼此连通。所述通孔由覆盖材料所覆盖，所述覆盖材料具有比所述导电材料更高的重组系数。 | ||
| 申请公布号 | CN101647103A | 申请公布日期 | 2010.02.10 |
| 申请号 | CN200880010066.1 | 申请日期 | 2008.03.26 |
| 申请人 | 佳能安内华股份有限公司 | 发明人 | 石桥启次;田中雅彦;熊谷晃 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01)I;C23C16/509(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/31(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 李 洋 |
| 主权项 | 1、一种真空处理装置，包括：真空处理容器，分隔件，其由导电材料制成并且将所述真空处理容器的内部分隔成用于产生等离子体的第一空间以及用于通过等离子体处理基板的第二空间，安装在所述第一空间中的用于等离子体产生的高频电极，以及安装在所述第二空间中并且保持所述基板的基板保持机构，其中所述分隔件包括多个通孔，所述通孔使得所述第一空间和所述第二空间彼此连通，以及所述通孔由覆盖材料所覆盖，所述覆盖材料具有比所述导电材料更高的重组系数。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||