| 发明名称 | 一种选择性去除TaN金属栅电极层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种选择性去除TaN金属栅电极层的方法，属于集成电路制造技术领域。所述方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成高K栅介质层；在所述高K栅介质层上形成TaN金属栅电极层，并在其上形成非晶硅硬掩膜；采用干法刻蚀所述非晶硅硬掩膜形成硬掩膜的图形；采用湿法腐蚀对未被所述硬掩膜的图形覆盖的TaN金属栅电极层进行选择性腐蚀；采用湿法腐蚀去除所述硬掩膜的图形。本发明以非晶硅为硬掩膜，采用湿法腐蚀TaN金属栅电极层时，可以实现高选择比的TaN金属栅电极层的去除；另外，采用湿法腐蚀液去除剩余的非晶硅硬掩膜时，对TaN金属栅电极层和高K栅介质层的选择比很高，不存在兼容性问题。 | ||
| 申请公布号 | CN101656208A | 申请公布日期 | 2010.02.24 |
| 申请号 | CN200910307689.1 | 申请日期 | 2009.09.25 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 李永亮;徐秋霞 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德权律师事务所 | 代理人 | 王建国 |
| 主权项 | 1.一种选择性去除TaN金属栅电极层的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤10：在所述半导体衬底(100)上形成高K栅介质层(103)；步骤20：在所述高K栅介质层(103)上形成TaN金属栅电极层(104)，并在所述TaN金属栅电极层(104)上形成非晶硅硬掩膜(105)；步骤30：采用干法刻蚀所述非晶硅硬掩膜(105)形成硬掩膜的图形；步骤40：采用含有NH4OH和H2O2的混合溶液对未被所述硬掩膜的图形覆盖的TaN金属栅电极层(104)进行选择性腐蚀；步骤50：采用含有NH4OH的水溶液去除所述硬掩膜的图形。 | ||
| 地址 | 100029北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所 | ||