一种在晶体生长过程中控制掺镓直拉硅电阻率的方法

摘要

本发明公开了一种在晶体生长过程中控制掺镓直拉硅电阻率的方法，包括如下步骤：在真空或氩气保护下，融熔多晶硅，将镓熔入硅熔液中形成掺镓硅溶液，生长直拉硅单晶，在晶体生长过程中，当晶体的电阻率在1.2-1.0Ω·cm的时候，向剩余的掺镓硅溶液中掺入一定浓度的n型掺杂剂—磷，形成磷、镓共掺的硅溶液后继续生长，使得晶体的电阻率被重新调控到3.0Ω·cm，在晶体固化率达到80～90％时停止生长。向剩余的掺镓硅溶液中掺磷可进行若干次。本发明可以将掺镓直拉硅单晶后半部分的电阻率控制在1～3Ω·cm的范围，有利于增加硅材料在制备高效太阳电池过程的利用率，从而使得高效电池的制造成本大幅度降低，且操作简单，很容易在光伏产业大规模应用。

主权项

1、一种在晶体生长过程中控制掺镓直拉硅电阻率的方法，包括如下步骤：在真空或氩气保护下，融熔多晶硅，将镓熔入硅熔液中形成掺镓硅溶液，生长直拉硅单晶，其特征在于：在晶体生长过程中，当晶体的电阻率在1.2-1.0Ω·cm的时候，向剩余的掺镓硅溶液中掺入磷，形成磷、镓共掺的硅溶液后继续生长，使得晶体的电阻率被重新调控到3.0Ω·cm，在晶体固化率达到80～90％时停止生长，得到预定电阻率的硅晶体。