发明名称 ヘテロ接合太陽電池構造
摘要 【課題】電池効率及び品質を一層高めることができるヘテロ接合太陽電池構造を提供する。【解決手段】ヘテロ接合太陽電池構造は、第1導電型ドープ半導体基板11と、第1導電型ドープ半導体基板11の正面S1上に設けられた真性水素化アモルファスシリコン膜21と、真性水素化アモルファスシリコン膜21上に設けられた第2導電型水素化アモルファスシリコン膜22と、第2導電型水素化アモルファスシリコン膜22上に直接設置された電極パターン25と、電極パターン25及び第2導電型水素化アモルファスシリコン膜22を被覆する反射防止層28を含む。電極パターン25が第2導電型水素化アモルファスシリコン膜22と直接接触する。【選択図】図6
申请公布号 JP3205613(U) 申请公布日期 2016.08.04
申请号 JP20160002354U 申请日期 2016.05.24
申请人 元晶太陽能科技股▲ふん▼有限公司TSEC CORPORATION 发明人 ▲呉▼ 立國;闕 ▲うえい▼洛;余 承曄
分类号 H01L31/0216;H01L31/0747 主分类号 H01L31/0216
代理机构 代理人
主权项
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