发明名称 阵列基板及其制作方法和显示装置
摘要 本发明涉及一种阵列基板及其制作方法,以及一种显示装置,上述阵列基板包括:采用铜形成于蚀刻阻挡层上的源漏金属层;采用铜合金形成于源漏金属层上的合金层,铜合金中的非铜金属比铜更易被氧化;形成于合金层上的钝化层;形成于合金层与钝化层之间氧化物层。通过本发明的技术方案,可以采用铜形成源极和漏极,同时使得源极和漏极与钝化层具有较高的结合强度,并且可以避免源极和漏极被氧化,还可以避免源极和漏极中的铜原子扩散。
申请公布号 CN104795402B 申请公布日期 2016.09.07
申请号 CN201510166992.X 申请日期 2015.04.09
申请人 京东方科技集团股份有限公司 发明人 姜春生
分类号 H01L27/12(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L29/45(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I 主分类号 H01L27/12(2006.01)I
代理机构 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人 李相雨
主权项 一种阵列基板,其特征在于,包括:采用铜形成于蚀刻阻挡层上的源漏金属层;采用铜合金形成于所述源漏金属层上的合金层,所述铜合金中的非铜金属比铜更易被氧化;形成于所述合金层上的钝化层;形成于所述合金层与所述钝化层之间氧化物层,氧化物层是合金层中的原子与钝化层中的原子结合形成的。
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