发明名称 R-T-B-Ga系磁体用原料合金及其制造方法
摘要 R‑T‑B‑Ga系磁体用原料合金(其中,R为包含Y的稀土元素之中的至少1种、T是以Fe为必须的1种以上过渡元素)中,包含作为主相的R<sub>2</sub>T<sub>14</sub>B相3和浓缩有R的富R相(1和2),通过使富R相内的非晶相1中的Ga含有率(质量%)高于富R相内的结晶相2中的Ga含有率(质量%),在作为原料使用的稀土磁体中,能够提高磁特性同时能够降低磁特性的偏差。为了抑制激冷晶体的形成和α‑Fe的结晶,优选的是,R‑T‑B‑Ga系磁体用原料合金的平均厚度为0.1mm以上且1.0mm以下。
申请公布号 CN104114305B 申请公布日期 2016.10.26
申请号 CN201380008046.1 申请日期 2013.02.01
申请人 和歌山稀土株式会社 发明人 佐口明彦;祢宜教之;米村光治
分类号 B22F1/00(2006.01)I;C22C38/00(2006.01)I;H01F1/057(2006.01)I 主分类号 B22F1/00(2006.01)I
代理机构 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人 刘新宇;李茂家
主权项 一种R‑T‑B‑Ga系磁体用原料合金,其特征在于,其为R‑T‑B‑Ga系磁体用原料合金,其中,R为包含Y的稀土元素之中的至少1种,T是以Fe为必须的1种以上过渡元素,该R‑T‑B‑Ga系磁体用原料合金包含作为主相的R<sub>2</sub>T<sub>14</sub>B相和浓缩有R的富R相,所述富R相内的非晶相中的以质量%计的Ga含有率高于所述富R相内的结晶相中的以质量%计的Ga含有率。
地址 日本和歌山县
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