发明名称 |
R-T-B-Ga系磁体用原料合金及其制造方法 |
摘要 |
R‑T‑B‑Ga系磁体用原料合金(其中,R为包含Y的稀土元素之中的至少1种、T是以Fe为必须的1种以上过渡元素)中,包含作为主相的R<sub>2</sub>T<sub>14</sub>B相3和浓缩有R的富R相(1和2),通过使富R相内的非晶相1中的Ga含有率(质量%)高于富R相内的结晶相2中的Ga含有率(质量%),在作为原料使用的稀土磁体中,能够提高磁特性同时能够降低磁特性的偏差。为了抑制激冷晶体的形成和α‑Fe的结晶,优选的是,R‑T‑B‑Ga系磁体用原料合金的平均厚度为0.1mm以上且1.0mm以下。 |
申请公布号 |
CN104114305B |
申请公布日期 |
2016.10.26 |
申请号 |
CN201380008046.1 |
申请日期 |
2013.02.01 |
申请人 |
和歌山稀土株式会社 |
发明人 |
佐口明彦;祢宜教之;米村光治 |
分类号 |
B22F1/00(2006.01)I;C22C38/00(2006.01)I;H01F1/057(2006.01)I |
主分类号 |
B22F1/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 |
代理人 |
刘新宇;李茂家 |
主权项 |
一种R‑T‑B‑Ga系磁体用原料合金,其特征在于,其为R‑T‑B‑Ga系磁体用原料合金,其中,R为包含Y的稀土元素之中的至少1种,T是以Fe为必须的1种以上过渡元素,该R‑T‑B‑Ga系磁体用原料合金包含作为主相的R<sub>2</sub>T<sub>14</sub>B相和浓缩有R的富R相,所述富R相内的非晶相中的以质量%计的Ga含有率高于所述富R相内的结晶相中的以质量%计的Ga含有率。 |
地址 |
日本和歌山县 |