| 摘要 |
반도체 소자가 제공된다. 반도체 소자는 반도체 기판에 형성되어, 활성부를 정의하는 소자 분리 패턴, 활성부를 가로지르는 게이트 라인 및 게이트 라인 일측의 활성부 내에 형성된 리세스 영역을 채우고, 반도체 기판과 다른 반도체 원소를 포함하는 에피택시얼 패턴을 포함하되, 리세스 영역은 게이트 라인의 길이 방향으로 연장되고, 소자 분리 패턴에 인접한 제1 내측벽, 및 게이트 라인의 길이 방향에 수직한(perpendicular) 방향으로 연장된 제2 내측벽을 포함하고, 제1 내측벽은 활성부로 형성되고, 제2 내측벽의 적어도 일부는 소자 분리 패턴으로 형성되고, 에피택시얼 패턴은 리세스 영역의 제1 내측벽 및 제2 내측벽과 접촉한다. |
