在玻璃基板上沉积TiN薄膜的方法

摘要

本发明公开了在玻璃基板上沉积TiN薄膜的方法，采用的是化学气相沉积法，通过调节反应气体进气管道的喷头和玻璃基板间的距离，实现控制沉积在玻璃基板上TiN薄膜的电阻率及表面形貌、光学性能等。本发明方法比传统的通过调节反应温度和反应物的流量来控制薄膜的电阻率等性能工艺简单，易行。

主权项

1.在玻璃基板上沉积TiN薄膜的方法，步骤如下：1)用10％的氢氟酸清洗玻璃基板；2)将玻璃基板放入化学气相沉积装置反应室的石墨支架上，反应室抽真空至-0.02Mpa，并通入N2对反应室进行清洗；3)调节进气管道喷头和玻璃基板之间的距离范围为5～25cm；4)将反应室加热至600℃；5)将TiCl4、NH3和N2反应气体通入反应室，其中TiCl4的流量为300sccm，NH3的流量为150sccm，N2的流量为900sccm，反应室的压强为-0.02MPa，在600℃的温度条件下进行沉积，反应时间为90s，沉积完毕，停止通入气体，冷却即可。