| 发明名称 | 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法，该薄膜晶体管阵列面板包括：基底；数据线，形成在基底上；栅极线，与数据线交叉并包括栅电极；源电极，连接到数据线；漏电极，与源电极相对；有机半导体，与源电极和漏电极部分接触；栅极绝缘构件，位于栅电极和有机半导体之间；绝缘存储体，具有开口，有机半导体和栅极绝缘构件位于该开口中，该开口形成为形，在该形中水平部分和垂直部分交叉。 | ||
| 申请公布号 | CN101086996A | 申请公布日期 | 2007.12.12 |
| 申请号 | CN200610148642.1 | 申请日期 | 2006.11.20 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 赵承奂;金泳敏;宋根圭 |
| 分类号 | H01L27/28(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L27/28(2006.01) |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人 | 韩明星;李云霞 |
| 主权项 | 1、一种薄膜晶体管阵列面板，包括：基底；数据线，形成在所述基底上；栅极线，与所述数据线交叉并包括栅电极；源电极，连接到所述数据线；漏电极，与所述源电极相对；有机半导体，与所述源电极和所述漏电极部分接触；栅极绝缘构件，位于所述栅电极和所述有机半导体之间；绝缘存储体，具有开口，所述有机半导体和所述栅极绝缘构件位于所述开口中，所述开口形成为十字形，其中，所述十字形的水平部分和垂直部分交叉。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩3洞416 | ||