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Ein Halbleiterbauteil umfasst zumindest eines der folgenden Elemente: ein Wannengebiet, das durch Implantieren von Verunreinigungen zwischen Isolierschichten in einem Halbleitersubstrat gebildet ist; ein Drift-Gebiet, das an einem oberen Bereich des Wannengebiets ausgebildet ist; ein Gate-Muster, das auf dem Halbleitersubstrat ausgebildet ist, während es eine Seite des Drift-Gebiets überlappt; zumindest eine STI (Shallow Trench Isolation), die auf dem Drift-Gebiet nahe dem Gate-Muster ausgebildet ist.
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