| 摘要 |
원자층 증착(atomic layer deposition; ALD)을 이용하여 기판상에 하나 이상의 물질 층을 증착하되, 기판이 추가적인 층 증착을 거치기 전에 기판의 표면이 불활성 기체의 라디칼(radical)에 의하여 처리된다. 불활성 기체의 라디칼에 의하여 증착된 층의 표면 상태가 후속하는 원료전구체(source precursor) 분자와 흡착하기 더 쉬운 상태로 바뀌는 것으로 확인된다. 불활성 기체의 라디칼은 기판의 표면상의 분자들의 결합을 끊고, 표면상의 분자들이 불포화 결합(dangling bond)을 갖게 한다. 불포화 결합은 이어서 표면에 주입된 원료전구체 분자들의 흡착을 용이하게 한다. 따라서, 불활성 기체의 라디칼에 노출시킴으로써, 증착율이 증가되고 증착된 층의 특성이 향상된다. |
