| 发明名称 |
SEMICONDUCTOR STRUCTURES INCLUDING MOLYBDENUM NITRIDE, MOLYBDENUM OXYNITRIDE OR MOLYBDENUM-BASED ALLOY MATERIAL, AND METHOD OF MAKING SUCH STRUCTURES |
| 摘要 |
반도체 구조물은 기판 위의 제1 전극, 제1 전극 위의 고 K 유전 재료 및 고 K 유전 재료 위의 제2 전극을 포함할 수 있고, 제1 전극 및 제2 전극 중 적어도 1개는 몰리브덴 질화물(MoN) 재료, 몰리브덴 산질화물(MoON) 재료, 몰리브덴 산화물(MoO) 재료, 및 몰리브덴 및 질소를 포함하는 몰리브덴계 합금 재료로 이루어진 군으로부터 선택된 재료를 포함할 수 있다. |
| 申请公布号 |
KR20160068940(A) |
申请公布日期 |
2016.06.15 |
| 申请号 |
KR20167012425 |
申请日期 |
2014.10.10 |
| 申请人 |
MICRON TECHNOLOGY, INC. |
发明人 |
ROCKLEIN MATTHEW N.;ANTONOV VASSIL;BHAT VISHWANATH;REDDY KOTHA SAI MADHUKAR |
| 分类号 |
H01L49/02;H01L27/108;H01L29/66 |
主分类号 |
H01L49/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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