| 摘要 |
게이트 전극(111)을 피복하는 게이트 절연막; 게이트 절연막 위에서 게이트 전극(111)과 단부가 중첩하는 제1배선층(117a) 및 제2배선층(117b); 및 상기 게이트 전극(111) 위에 있고, 상기 제1배선층(117a) 및 제2배선층(117b)의 단부와 상기 게이트 절연막에 접하는 산화물 반도체층(113)을 사용하여 보호회로를 구성한다. 상기 비선형소자(170a)의 게이트 전극(111)과 주사선(13) 또는 신호선은 배선에 포함되고, 상기 비선형소자(170a)의 상기 제 1 또는 제 2 배선층(117a, 117b)는, 상기 게이트 전극(111)의 전위를 인가하도록 상기 배선(13)에 직접 접속된다. |
