応力を解放する半導体層

摘要

第ＩＩＩ族窒化物系半導体構造などの半導体構造が提供される。半導体構造はキャビティー含有半導体層を含む。キャビティー含有半導体層は二つのモノレーヤーよりも大きな厚さを有し、複数のキャビティー有する。キャビティーは少なくとも１ナノメートルの代表的なサイズと少なくとも５ナノメートルの代表的間隔を有する。