发明名称 太阳能电池用硅晶片及其制造方法
摘要 本发明提供一种使用了多晶硅晶片的太阳能电池用基板,该太阳能电池用基板能够进一步降低对于入射光的反射。该太阳能电池用基板由具有通过湿法蚀刻形成的凹凸表面的多晶硅晶片构成,以下所定义的凹凸表面的立体表面粗糙度为2.0~4.0。上述立体表面粗糙度的含义为:使用激光显微镜KEYENCH公司制“VK‑9700”,在测定时倍率3000倍、观察视野6512μm<sup>2</sup>的条件下,测量多晶硅晶片的凹凸表面的表面积,用测得的值除以观察视野而得到的值。
申请公布号 CN104364913B 申请公布日期 2016.09.14
申请号 CN201380027688.6 申请日期 2013.05.30
申请人 日本化成株式会社 发明人 阿部秀司;铃木龙畅;大沼光男
分类号 H01L31/04(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/04(2014.01)I
代理机构 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人 龙淳
主权项 一种太阳能电池用基板,其特征在于:由具有通过湿法蚀刻形成的凹凸表面的多晶硅晶片构成,以下所定义的凹凸表面的立体表面粗糙度为2.0~4.0,所述凹凸表面的凹凸在深度:0.5~4.0μm、宽度:0.5~5.0μm、长度:0.5~20μm的范围内,所述凹凸表面由纵横比在2~20的凹结构构成,上述的立体表面粗糙度是使用激光显微镜KEYENCE公司生产的“VK‑9700”,在测定时倍率3000倍、观察视野6512μm<sup>2</sup>的条件下,测量多晶硅晶片的凹凸表面的表面积,用测得的值除以观察视野而得到的值。
地址 日本,福岛县