适用于快闪和字节操作的非易失存储技术

摘要

本发明提供一种非易失性存储单元结构，适合于快闪存储单元和EEPROM单元(电擦除可编程只读存储单元)，以执行字节编程和字节擦除操作。在编程操作中，一个较高负电压施加到漏极区，这样，产生热空穴，以减少经过横向电场内隧道氧化层进入浮动栅极的热电子。另外，栅极电压约为阈值电压，它依赖于集成电路装置设计。此外，非易失性存储单元利用沟通Fowler-Nordheim隧道效应进行擦除操作。为了执行字节擦除操作，将漏极结用作一个禁止开关。这样，通过将漏极偏置到接地，禁止相同字线上未选单元。因此，未选单元的字线接地。

主权项

1.一种非易失性存储单元结构，其特征在于，所述结构包括：N型井区，在衬底内；沟道区，在P型源极区和P型漏极区之间，其中所述P型的导电型与所述N型相反；第一绝缘层，在所述N型井区的表面；浮动栅极，在所述第一绝缘层上面；第二绝缘层，在所述浮动栅极上；及控制栅极，在所述第二绝缘层上，其中，通过将擦除电压施加到所述P型漏极区，将电源电压施加到所述控制栅极，并将所述擦除电压施加到所述N型井区，擦除所述非易失性存储单元，其中，所述擦除电压为一正电压，施加在所述控制栅极的所述电源电压高于所述非易失性存储单元的阈值电压，对所述非易失性存储单元进行擦除操作。