发明名称 一种生长硅基薄膜及高效硅基薄膜太阳能电池的PECVD设备
摘要 一种生长硅基薄膜及高效硅基薄膜太阳能电池的PECVD设备,包括沉积腔体、气路控制系统、电控系统、真空机组。沉积腔体由位于沉积腔体中间位置的生长腔体(1)和位于生长腔体(1)两侧的进出片室(2)构成。进出片室(2)装有手动开、闭的活动门。进出室(2)配有多片样片自动装卸架。生长腔体(1)内装有四组沉积用平行板电容式电极,每组平行板电容式电极由上下两个对称布置的电极板组成,每组平行板电容式电极之间设有垂直安装的挡板。真空机组由机械泵(3)、冷凝过滤器(4)、废气处理装置(5)组成。电控系统的PLC控制器控制硅基薄膜及硅基薄膜太阳能电池生长过程。本发明制备的硅基薄膜不均匀性<3%(采用红外透射谱方法测试并计算),硅基薄膜太阳能电池转换效率>9%(测试光源:AM1.5;1000W/M<SUP>2</SUP>)。
申请公布号 CN101220468A 申请公布日期 2008.07.16
申请号 CN200710176718.6 申请日期 2007.11.01
申请人 中国科学院电工研究所 发明人 刁宏伟;王文静;廖显伯;赵雷
分类号 C23C16/50(2006.01);C23C16/30(2006.01);C23C16/52(2006.01) 主分类号 C23C16/50(2006.01)
代理机构 北京科迪生专利代理有限责任公司 代理人 关玲;成金玉
主权项 1.一种生长硅基薄膜及高效硅基薄膜太阳能电池的PECVD设备,包括沉积腔体、气路控制系统、电控系统、真空机组;沉积腔体分别连接气路控制系统、电控系统、真空机组,电控系统还与气路控制系统连接,其特征在于沉积腔体由生长腔体(1)和进出片室(2)构成,生长腔体(1)位于沉积腔体的中间位置,进出片室(2)位于生长腔体(1)的两侧,生长腔体(1)与进出片室(2)间有气动插板阀隔离;进出片室(2)装有手动开、闭的活动门;进出室(2)配有多片样片自动装卸架;多片样片自动装卸架与程控运载小车构成多片样片自动装卸机构;沉积腔体正面有观察窗;沉积腔体下面接有射频电源引入用陶瓷封装引线电极接口及气路控制系统接口;真空机组由机械泵(3)、冷凝过滤器(4)、废气处理装置(5)组成,冷凝过滤器(4)连接在沉积腔体与机械泵(3)之间;废气处理装置(5)接在机械泵(3)之后;电控系统的PLC控制器控制硅基薄膜及硅基薄膜太阳能电池生长过程。
地址 100080北京市海淀区中关村北二条6号