发明名称 |
频率信号采集两种模式复用电路 |
摘要 |
频率信号采集两种模式复用电路,属于电路控制领域,本发明为解决现有CPU采集频率信号在电压采样和电阻采样两种模拟之间切换时,必须同时改变电路结构,增加了系统复杂性的问题。本发明包括PMOS晶体管P1、NPN三极管VT1、电阻R1~R8;电源VCC同时连接R3的一端和P1的源极;P1的栅极同时连接R3的另一端和VT1的集电极,VT1的基极连接R6和R8的一端,VT1的发射极连接R8的另一端,并接地;R6的另一端连接CPU控制端口;P1的漏极同时连接R1和R2的一端;R1的另一端同时连接R5的一端和R2的另一端,并连接模拟量输入端口;R5的另一端连接R7的一端,并连接AD采样端口;R7的另一端接地。 |
申请公布号 |
CN105785121A |
申请公布日期 |
2016.07.20 |
申请号 |
CN201610177885.1 |
申请日期 |
2016.03.24 |
申请人 |
航天科技控股集团股份有限公司 |
发明人 |
王晶;王大伟;李天放;黄明森;王钊 |
分类号 |
G01R23/02(2006.01)I |
主分类号 |
G01R23/02(2006.01)I |
代理机构 |
哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 |
代理人 |
张宏威 |
主权项 |
频率信号采集两种模式复用电路,其特征在于,它包括PMOS晶体管P1、NPN三极管VT1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7和电阻R8;电源VCC同时连接电阻R3的一端和PMOS晶体管P1的源极;PMOS晶体管P1的源极和漏极之间反向并联二极管VD1;PMOS晶体管P1的栅极同时连接电阻R3的另一端和NPN三极管VT1的集电极,NPN三极管VT1的基极同时连接电阻R6的一端和电阻R8的一端,NPN三极管VT1的发射极连接电阻R8的另一端,并接地;电阻R6的另一端连接CPU控制端口;PMOS晶体管P1的漏极同时连接电阻R1的一端和电阻R2的一端;电阻R1的另一端同时连接电阻R5的一端和电阻R2的另一端,并连接模拟量输入端口;电阻R5的另一端连接电阻R7的一端,并连接AD采样端口;电阻R7的另一端接地。 |
地址 |
150060 黑龙江省哈尔滨市平房区哈平西路45号 |