发明名称 イットリウム含有保護皮膜による半導体処理装置の被覆方法
摘要 Methods of applying specialty ceramic materials to semiconductor processing apparatus, where the specialty ceramic materials are resistant to halogen-comprising plasmas. The specialty ceramic materials contain at least one yttrium oxide-comprising solid solution. Some embodiments of the specialty ceramic materials have been modified to provide a resistivity which reduces the possibility of arcing within a semiconductor processing chamber.
申请公布号 JP5978236(B2) 申请公布日期 2016.08.24
申请号 JP20140054887 申请日期 2014.03.18
申请人 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドAPPLIED MATERIALS,INCORPORATED 发明人 サン ジェニファー ワイ;サチ セン;デンプスター ジム;シュー リー;コリンズ ケネス エス;デュアン レングアン;グラベス トーマス;ヒー シャオミング;ユアン ジエー
分类号 C23C14/08;C04B35/50;H01L21/205 主分类号 C23C14/08
代理机构 代理人
主权项
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