发明名称 |
イットリウム含有保護皮膜による半導体処理装置の被覆方法 |
摘要 |
Methods of applying specialty ceramic materials to semiconductor processing apparatus, where the specialty ceramic materials are resistant to halogen-comprising plasmas. The specialty ceramic materials contain at least one yttrium oxide-comprising solid solution. Some embodiments of the specialty ceramic materials have been modified to provide a resistivity which reduces the possibility of arcing within a semiconductor processing chamber. |
申请公布号 |
JP5978236(B2) |
申请公布日期 |
2016.08.24 |
申请号 |
JP20140054887 |
申请日期 |
2014.03.18 |
申请人 |
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドAPPLIED MATERIALS,INCORPORATED |
发明人 |
サン ジェニファー ワイ;サチ セン;デンプスター ジム;シュー リー;コリンズ ケネス エス;デュアン レングアン;グラベス トーマス;ヒー シャオミング;ユアン ジエー |
分类号 |
C23C14/08;C04B35/50;H01L21/205 |
主分类号 |
C23C14/08 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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