半导体装置用的先进法拉第屏蔽

摘要

本发明涉及半导体装置用的先进法拉第屏蔽，揭示的一种示例性装置包括包含半导体基底中所形成栅极电极与漏极区的晶体管、在基底中所形成的隔离结构以及横置于栅极电极与漏极区之间和隔离结构之上的法拉第屏蔽，其中隔离结构横置于栅极电极与漏极区之间，法拉第屏蔽具有相对于基底上表面实质垂直取向的长轴。

主权项

一种集成电路装置，其包含：包含半导体基底中所形成栅极电极与漏极区的晶体管；在该基底中形成的隔离结构，该隔离结构横置于该栅极电极与该漏极区之间；以及横置于该栅极电极与该漏极区之间和在该隔离结构之上的法拉第屏蔽，其中该法拉第屏蔽由多个垂直堆叠的导电特征所构成，该多个垂直堆叠的导电特征中的每一个位于绝缘材料的分离层中。