半导体制造工艺中去除光致抗蚀剂的方法

摘要

这里公开一种在半导体制造工艺中去除光致抗蚀剂的方法，其中光致抗蚀剂的去除，即灰化是采用从含有氢气(H₂)的混合气体中生成的等离子体完成的。根据所述方法，可以将氧化硅膜的形成最小化，从而在不发生爆孔的情况下避免了硅的损失，即使是高剂量离子注入DUV光致抗蚀剂的残余也可以被彻底清除，进而使灰化效率得到了提高。

主权项

1.一种在半导体制造工艺中去除光致抗蚀剂的方法，其包括以下步骤：将一光致抗蚀剂旋涂到半导体衬底上，从而在所述衬底上形成一光致抗蚀剂层；有选择地将光致抗蚀剂层暴露在光线中；对所述被暴露的光致抗蚀剂层显影，从而在所述半导体衬底的顶部形成一光致抗蚀剂图案；蚀刻或将杂质注入到所述半导体衬底的暴露部分中；以及去除在所述蚀刻或离子注入过程中起着掩模作用的所述光致抗蚀剂图案，即灰化，其中，所述灰化是采用从含有氢气H2的混合气体中产生的等离子体在满足100℃≤T＜250℃的温度T下完成的，从而，即使在高温下也不会发生爆孔现象，从而避免了颗粒的产生。