发明名称 | 辅助振动阻尼型晶体振荡器电路 | ||
摘要 | 本发明涉及一种辅助振动阻尼型晶体振荡器电路,该振荡电路形成为柯匹兹型,其中晶体单元连接在振荡晶体管的基极端子和集电极端子之间,第一电容器连接在振荡晶体管的发射极端子和集电极端子之间,而第二电容器连接在振荡晶体管的发射极端子和基极端子之间。该发射极端子和集电极端子之间的区域或发射极端子和基极端子之间的区域包括电抗并联电路,其中LC串联电路以并联方式连接于第一或第二电容器。该电抗并联电路在该晶体单元的主振动模式中的振荡频率处具有使该电抗并联电路变成电容性的谐振特性,并且该LC串联电路的谐振频率对应于接近该主振动模式的辅助振动模式中的振动频率。 | ||
申请公布号 | CN101645691A | 申请公布日期 | 2010.02.10 |
申请号 | CN200910161714.X | 申请日期 | 2009.07.31 |
申请人 | 日本电波工业株式会社 | 发明人 | 新井淳一 |
分类号 | H03B5/36(2006.01)I | 主分类号 | H03B5/36(2006.01)I |
代理机构 | 北京泛诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 文 琦;陈 波 |
主权项 | 1.一种辅助振动阻尼型晶体振荡器电路,包括:包括起电感器元件作用的晶体单元、以及第一和第二电容器的振荡谐振电路;以及通过所述振荡谐振电路使振荡频率反馈放大的振荡晶体管,其中所述辅助振动阻尼型晶体振荡器电路形成为柯匹兹型振荡器电路,其中所述晶体单元连接在所述振荡晶体管的基极端子和集电极端子之间,所述第一电容器连接在所述振荡晶体管的发射极端子和和集电极端子之间,而所述第二电容器连接在所述振荡晶体管的发射极端子和基极端子之间,其中所述辅助振动阻尼型晶体振荡器电路构造成将在该晶体单元的主振动模式中的振动频率设置为振荡频率,并且衰减在接近该主振动模式的辅助振动模式中的振动频率上的振荡,其中所述振荡晶体管的所述发射极端子和所述集电极端子之间的区域,或所述发射极端子和所述基极端子之间的区域包括电抗并联电路,其中包括电感器和电容器的LC串联电路以并联方式连接于所述第一或第二电容器,其中所述电抗并联电路具有在所述主振动模式中的振荡频率上使所述电抗并联电路变成电容性的谐振特性,并且所述LC串联电路的谐振频率对应于所述辅助振动模式中的所述振动频率。 | ||
地址 | 日本东京 |