| 发明名称 | 半导体激光器 | ||
| 摘要 | 提供一种半导体激光器，可抑制高输出长时间驱动时共振器端面的端面保护膜的膜剥离，并且COD耐性强，输出高且寿命长。上述半导体激光器，从活性层(5)的端面射出激光，具有保护膜(20)，其设置在射出激光的端面上，并且由单层或多层的电介质膜构成。保护膜(20)中的氢浓度分布大致均匀。活性层(5)由包含Ga作为构成元素的III族氮化物半导体构成。保护膜(20)由至少与活性层(5)的端面直接接触的第一保护膜(21)和与第一保护膜(21)接触的第二保护膜(22)构成。第一保护膜(21)的氢浓度与第二保护膜(22)的氢浓度之比为0.5以上且2以下。 | ||
| 申请公布号 | CN101645578A | 申请公布日期 | 2010.02.10 |
| 申请号 | CN200910164136.5 | 申请日期 | 2009.08.06 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 福田和久;笹冈千秋;多田健太郎;五十岚俊昭;宫坂文人;小松启郎 |
| 分类号 | H01S5/343(2006.01)I;H01S5/028(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/343(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 孙志湧;李 亚 |
| 主权项 | 1.一种半导体激光器，从活性层的端面射出激光，其特征在于，具有保护膜，该保护膜设置在射出上述激光的上述端面上，并且由单层或多层的电介质膜构成，上述保护膜中的氢浓度分布大致均匀。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||