发明名称 | Ⅲ-Ⅴ族半导体器件的电介质界面 | ||
摘要 | 描述了III-V族半导体器件及制造方法。通过硫族化物区域将高k电介质与限制区域对接。 | ||
申请公布号 | CN101341583A | 申请公布日期 | 2009.01.07 |
申请号 | CN200680044431.1 | 申请日期 | 2006.11.17 |
申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | J·K·布拉斯克;S·达塔;M·L·多奇;J·M·布莱克威尔;M·V·梅茨;J·T·卡瓦利罗斯;R·S·乔 |
分类号 | H01L21/314(2006.01);H01L29/51(2006.01);H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L21/314(2006.01) |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 柯广华;刘春元 |
主权项 | 1.一种用于制造半导体器件的方法,包括:生长III-V族化合物的第一区域;在所述第一区域上生长限制区域;在所述限制区域上形成硫族化物区域;在所述硫族化物区域上形成电介质区域;以及在所述电介质区域上形成金属栅。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |