用于非晶硅电池沉积的等离子体气相沉积设备与方法

摘要

本发明涉及太阳能领域，尤其涉及用于非晶硅电池沉积的等离子体气相沉积设备与方法。本发明采取如下技术方案：用于非晶硅电池沉积的等离子体气相沉积设备，其特征在于，包含沉积室，沉积室内壁有传热管道，沉积室通过管道和外部连接，沉积室包含可开的一面门，沉积室内部有运动导轨以及压力传感器和温度传感器。采用如上技术方案的本发明，具有如下有益效果：镀膜效果好，节省加热能源，可以精确实现限位，使得整个装置运行稳定。

主权项

用于非晶硅电池沉积的等离子体气相沉积方法，其特征在于，包含如下步骤：沉积准备过程；●预热沉积环境150‑250℃；●氩气起辉、清洗玻璃表面，用氩离子除掉玻璃表面的杂质；●P层沉积，通入甲烷，甲烷的主要作用是沉积出碳化硅，作为开窗层，打乱光谱，使得更多的光谱被吸收；●在不起辉的情况下通入30000sccm的氢气，进行沉积完后的表面处理，打掉沉积过程中产生的弱键；●氢气起辉准备；第一次PIN沉积；●过渡层沉积；●本征层沉积；●N层第一次沉积；第二次PIN沉积；●电池P层(沉积)；●通入10000sccmH2，并且电离；●P层微晶硅沉积，掺杂550sccm硼烷，12000sccmH2；●先通入15000sccmH2不电离，给下一步电离做环境准备；●通入12000sccm量H2，并且电离；●预先通入12000sccm H2，为电池本征微晶层做准备；●本征层沉积，形成微晶层；●第二阶段本征层沉积；●第三阶段本征层沉积；●第四阶段本征层沉积；四次沉积过程会形成阶段性的均匀电阻；●N层非晶硅掺杂沉积，分两阶段进行，第一阶段是10000sccm氢气流量，500sccm硼烷掺杂；第二阶段主要是掺杂离子沉积，提供形成电场后所需要的大量电子，为产生电流做好准备；沉积完成的沉积室环境处理；●抽空过程通入氩气，起到净化沉积室的作用；●充氩气状态下电离；●抽真空。