发明名称 | 半导体集成电路器件 | ||
摘要 | 提供一种半导体集成电路器件,当在SRAM中额外安装电容器时,该半导体集成电路器件防止了节点互连中图形的改变和制造工艺数量的增加,同时提供了节点互连中更高的可靠性。提供一种半导体集成电路器件,包括:节点互连(下部电容电极),嵌入到形成在提供在半导体衬底上的层间绝缘膜中的沟槽中,所述下部电容电极的表面形成为基本与层间绝缘膜的表面共面;和电容器,包括:平坦地形成在层间绝缘膜的表面上的电容绝缘膜;以及平坦地形成于其上的上部电容电极。由于节点互连的表面是平坦的,因此可以实现形成电容绝缘膜和上部电容电极的更薄的膜,且提高电容器的可靠性,并可以平面化上层互连的平面以使其小型化。 | ||
申请公布号 | CN1630086A | 申请公布日期 | 2005.06.22 |
申请号 | CN200410101170.5 | 申请日期 | 2004.12.16 |
申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 桥本真吾 |
分类号 | H01L27/11 | 主分类号 | H01L27/11 |
代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;陆弋 |
主权项 | 1.一种半导体集成电路器件,包括:半导体衬底;以及包括多层结构的电容器,其包括:下部电容电极;电容绝缘膜;以及上部电容电极,所有这些依次淀积,所述电容器设置在所述半导体衬底上,其中所述下部电容电极嵌入到形成在提供在所述半导体衬底上的层间介电层中的沟槽中,且其上表面形成为与所述层间介电层的上表面基本上共面,其中所述电容绝缘膜基本上平坦地形成,以接触包含所述下部电容电极的所述层间介电层的上表面,以及其中所述上部电容电极基本平坦地形成,以接触所述电容绝缘膜的上表面。 | ||
地址 | 日本神奈川 |