| 摘要 |
リーニング不良とスプリング不良をともに抑制するため、（１）ワイヤ中心を含みワイヤ長手方向に平行な断面（ワイヤ中心断面）において、長径ａと短径ｂの比ａ／ｂが１０以上でありさらに面積が１５μｍ2以上である結晶粒（繊維状組織）が存在せず、（２）ワイヤ中心断面における、ワイヤ長手方向の結晶方位を測定した結果、前記ワイヤ長手方向に対して角度差が１５?以下である結晶方位＜１００＞の存在比率が面積率で５０％以上９０％以下であり、（３）ワイヤ表面における、ワイヤ長手方向の結晶方位を測定した結果、前記ワイヤ長手方向に対して角度差が１５?以下である結晶方位＜１００＞の存在比率が面積率で５０％以上９０％以下であることを特徴とする半導体装置用ボンディングワイヤ。伸線工程中に減面率が１５．５％以上の伸線加工を少なくとも１回行い、最終熱処理温度と最終前熱処理温度を所定範囲とする。 |
