| 发明名称 | 一种等离子体激励方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体刻蚀技术。本发明提出一种等离子体激励方法，对等离子体进行激励时，上下电极分别输入不同的电信号，对等离子体进行激励。本发明的优点和积极效果在于，它可以减小方位角的不对称，改善等离子体的均匀性，从而使晶片表面发生的化学反应速度差异较小，刻蚀速率均匀，减小等离子体损伤，从而提高刻蚀晶片的质量。 | ||
| 申请公布号 | CN100367829C | 申请公布日期 | 2008.02.06 |
| 申请号 | CN200510126395.0 | 申请日期 | 2005.12.08 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 宋巧丽 |
| 分类号 | H05H1/46(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H05H1/46(2006.01) |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人 | 蔡世英 |
| 主权项 | 1.一种等离子体激励方法，其特征在于在电感耦合等离子体装置中，对等离子体进行激励时，采用上下电极输入非对等的电信号进行等离子体激励。 | ||
| 地址 | 100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号 | ||