锡基氧化物薄膜阳极的制备方法

摘要

本发明涉及一种成本低、操作简单、可大面积制备金属氧化物薄膜的方法。提出的锡基氧化物薄膜阳极的制备采用真空蒸镀与氧离子发生器辅助的热氧化相结合的方法；沉积在不锈钢镀膜室中进行，采用真空蒸镀镀膜系统，基片固定在旋转圆盘上并置于真空镀膜机中，蒸发源材料为高纯锡，采用钼舟或电阻丝加热，镀膜室的工作真空度为10^-2～10^-4mTorr；金属锡薄膜沉积后通入纯氧，使镀膜室的真空度为1.0～10^-2mTorr，打开氧离子发生器产生氧离子；于300～500℃条件下氧化制备锡基氧化物薄膜。本发明中氧化后薄膜的厚度为金属薄膜的～2.4倍，氧化物的沉积速率为600～1000nm/h，与其它方法相比效率明显提高。

主权项

1.一种锡基氧化物薄膜阳极的制备方法，其特征在于：采用真空蒸镀与氧离子发生器辅助的热氧化相结合的方法，制备锡基氧化物薄膜阳极材料；沉积在不锈钢镀膜室中进行，采用真空蒸镀镀膜系统，基片固定在旋转圆盘上并置于真空镀膜机中，蒸发源材料为高纯锡，采用钼舟或电阻丝加热，镀膜室的工作真空度为10-2～10-4mTorr；金属锡薄膜沉积后通入纯氧，使镀膜室的真空度为1.0～10-2mTorr，打开氧离子发生器产生氧离子；于300～500℃条件下氧化制备锡基氧化物薄膜。