发明名称 方位计
摘要 为提供薄且面积小的方位计。本发明排列了一个平面线圈和至少两组薄膜磁阻元件。这几组薄膜磁阻元件中的每一组构成MR桥,探测和输出地磁场的两个垂直分量,根据输出值得到方位信息。
申请公布号 CN100367001C 申请公布日期 2008.02.06
申请号 CN02809035.7 申请日期 2002.05.21
申请人 日立金属株式会社 发明人 阿部泰典;下江治
分类号 G01C17/30(2006.01) 主分类号 G01C17/30(2006.01)
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 王永刚
主权项 1.一种方位计,包含:平面线圈,绕成相对于两个互相垂直的轴对称的形状;两组薄膜磁阻元件,其所处平面基本与平面线圈所在平面平行,其中所述两组薄膜磁阻元件中的每一组构成由偶数个薄膜磁阻元件彼此电相连而形成的薄膜磁阻元件桥路并探测和输出地磁场的两个垂直分量,根据该两个垂直分量得到方位信息,其中该方位计进一步包含:沿预定方向向平面线圈通入电流以向薄膜磁阻元件施加等于或大于所述薄膜磁阻元件饱和磁化的第一饱和磁场、沿与第一饱和磁场相反的方向施加恒定偏置磁场、沿与第一饱和磁场相反的方向施加等于或大于薄膜磁阻元件饱和磁化的第二饱和磁场,然后沿与第二饱和磁场相反的方向施加偏置磁场的装置;以及在施加所述偏置磁场的同时向这两组薄膜磁阻元件通入磁场测量电流的装置。
地址 日本东京