发明名称 |
互连结构及其形成方法 |
摘要 |
本发明提供了一种互连结构及其形成方法,所述互连结构的形成方法包括:在衬底上的第一介质层中形成通孔以及位于所述通孔开口处侧壁中的缺口;在所述通孔和缺口中形成导电插塞,所述导电插塞具有位于通孔中的主体和位于缺口中的凸出部;在所述第一介质层和导电插塞上形成第二介质层;在所述第二介质层中形成沟槽,所述沟槽至少能露出所述导电插塞的凸出部;在所述沟槽中填充金属材料,形成金属引线。当导电插塞的主体和金属引线发生形变、错位等缺陷,使金属引线与主体之间接触面积减小时,所述凸出部仍然在金属引线的覆盖下并与金属引线相接触,从而能够保证导电插塞与金属引线之间良好地接触。 |
申请公布号 |
CN105720039A |
申请公布日期 |
2016.06.29 |
申请号 |
CN201410734536.6 |
申请日期 |
2014.12.04 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
黄敬勇;何其暘;黄瑞轩;胡敏达 |
分类号 |
H01L23/528(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/528(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
高静;骆苏华 |
主权项 |
一种互连结构的形成方法,其特征在于,包括:提供衬底;在所述衬底上形成第一介质层;在所述第一介质层中形成通孔以及位于所述通孔开口处一侧侧壁中的缺口;在所述通孔和缺口中形成导电插塞,所述导电插塞具有位于通孔中的主体和位于缺口中的凸出部;在所述第一介质层和导电插塞上形成第二介质层;在所述第二介质层中形成沟槽,所述沟槽至少能露出所述导电插塞的凸出部;在所述沟槽中填充金属材料,形成金属引线。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |