一种片式热敏电阻器及其制造方法

摘要

本发明涉及热敏电阻器技术领域，特别是一种片式热敏电阻器及其制造方法。该片式热敏电阻器包括基片，基片的上端面设有底层电极，底层电极的上端面设有热敏电阻层，热敏电阻层的上端面的两侧分别设有上层电极，所述热敏电阻层的上端面的中部设有保护层，且保护层位于两侧的上层电极的中间。利用厚膜成膜技术或薄膜成膜技术来制造该片式热敏电阻器，使得其体积减小、重量减轻，热敏性提高、阻值精度高。

主权项

一种片式热敏电阻器的制造方法，其特征在于：其包括以下步骤：步骤1：运用薄膜成膜技术在基片上形成底层电极；在步骤1采用薄膜成膜技术时，使用薄膜沉积工艺，将金、钯、铂、银中的其中几种的合金，或是将镍、铬的合金，沉积在基片上形成具有导体功能膜层的底层电极；步骤2：运用薄膜成膜技术，在底层电极的上面，形成热敏电阻层；使用薄膜沉积工艺，将锰、镍、铜、铁、银中的一种或其中几种的合金，沉积在底层电极上，形成热敏电阻层半成品；再将该半成品放入300至500℃的热处理箱中进行热处理，以形成具有电阻功能的热敏电阻层；步骤3：使用薄膜沉积工艺，将金、钯、铂、银中的一种或其中几种的合金，分别沉积在热敏电阻层上端面的两侧上，并形成上层电极；步骤4：运用厚膜成膜技术或薄膜成膜技术，在热敏电阻层的上端面中间形成保护层，且保护层位于两侧的上层电极之间；其中保护层的材料是树脂体系或硅的化合物体系。