| 发明名称 | 基于LDMOS工艺制作的半导体器件的温度测量方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种基于LDMOS工艺制作的半导体器件的温度测量方法，所述半导体器件，包括LDMOS三极管，采用相同或不同的电压值（V<sub>G</sub>）加载到LDMOS三极管的栅极电阻的两个非固定端；再根据欧姆定律计算出每次施加在所述栅极电阻的两个非固定端电压值（V<sub>G</sub>）后的电流值；之后根据电流与温度的换算关系，计算出所述半导体器件的温度值。本发明基于LDMOS工艺制作的半导体器件的温度测量方法，对半导体器件的使用寿命影响较小。 | ||
| 申请公布号 | CN102928103B | 申请公布日期 | 2016.09.07 |
| 申请号 | CN201210413632.1 | 申请日期 | 2012.10.25 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 许丹 |
| 分类号 | G01K7/00(2006.01)I | 主分类号 | G01K7/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种基于LDMOS工艺制作的半导体器件的温度测量方法，所述半导体器件，包括LDMOS三极管，其特征在于：采用相同或不同的电压值（V<sub>G</sub>）加载到LDMOS三极管的栅极电阻的两个非固定端；再根据欧姆定律计算出每次施加在所述栅极电阻的两个非固定端电压值（V<sub>G</sub>）后的电流值；之后根据电流与温度的换算关系，计算出所述半导体器件的温度值。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||