| 发明名称 |
Control gate and word line voltage boosting scheme for twin MONOS memory cells |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP1274096(B1) |
申请公布日期 |
2007.09.19 |
| 申请号 |
EP20020368073 |
申请日期 |
2002.07.05 |
| 申请人 |
HALO LSI DESIGN AND DEVICE TECHNOLOGY INC. |
发明人 |
OGURA, NORI;OGURA, SEIKI |
| 分类号 |
G11C16/06;G11C16/08;G11C8/08;G11C11/56;G11C16/04;G11C16/30;H01L21/822;H01L21/8247;H01L27/04;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792 |
主分类号 |
G11C16/06 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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