| 发明名称 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置，在使侧面露出地布图的第1半导体层(3)上，选择外延生长形成第2半导体层(5)，对第2半导体层(5)的表面进行热氧化，从而在第2半导体层(5)的表面形成栅极绝缘膜(6)后，介有第2半导体层(5)的侧壁地在绝缘层(2)上形成跨越第2半导体层(5)之上地配置的栅电极(7)，从而使第2半导体层(5)的侧壁具有沟道。一面抑制沟道区域的损伤，一面使半导体层的侧壁具有沟道。 | ||
| 申请公布号 | CN100449785C | 申请公布日期 | 2009.01.07 |
| 申请号 | CN200610051457.0 | 申请日期 | 2006.02.28 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 加藤树理 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1、一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：在半导体基板上，通过外延生长形成膜状的第1半导体层的工序；对所述第1半导体层进行图形化的工序；在所述第1半导体层上，通过外延生长形成膜状的、蚀刻速度比所述第1半导体层小的第2半导体层的工序；从所述半导体基板上到所述第2半导体层上形成用蚀刻速度比所述第1半导体层小的材料构成的支承体的工序，其中，该支承体在所述半导体基板上支承所述第2半导体层；形成使所述第1半导体层的侧面露出的露出部的工序；通过经所述露出部对第1半导体层进行有选择的蚀刻，从而在所述半导体基板与所述第2半导体层之间，形成空洞部的工序；在所述空洞部内形成埋入绝缘层的工序；在所述第2半导体层上，形成栅电极的工序；以及在所述第2半导体层上，形成配置在所述栅电极的一侧的源极层及配置在所述栅电极的另一侧的漏极层的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||