Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür

摘要

Ein Verfahren für die Herstellung eines Halbleiterbauelements umfasst das Ausbilden einer Rippenstruktur über einem Substrat. Eine Isolierschicht wird so ausgebildet, dass ein oberer Teil der Rippenstruktur von der Isolierschicht vorsteht. Eine Gate-Struktur wird über einem Teil der Rippenstruktur ausgebildet. Aussparungen werden in der Isolierschicht auf beiden Seiten der Rippenstruktur ausgebildet. Eine Aussparung wird in einem Abschnitt der Rippenstruktur ausgebildet, der nicht durch die Gate-Struktur bedeckt ist. Die Aussparung in der Rippenstruktur und die Aussparungen in der Isolierschicht werden so ausgebildet, dass eine Tiefe D1 der Aussparung in der Rippenstruktur und eine Tiefe D2 der Aussparungen in der Isolierschicht, von einer obersten Fläche der Isolierschicht aus gemessen, 0 ≤ D1 ≤ D2 erfüllen (aber D1 und D2 sind nicht gleichzeitig null).