| 发明名称 | 再分配层中的控制阻抗传输线 | ||
| 摘要 | 在一个实施例中，本发明包括制作于半导体管芯(100)上再分配层中的第一(104)和第二(118)传输线。第一传输线(104)具有离第一金属级中第一接地返回通路的第一距离。第一传输线(104)具有对应于第一距离的第一阻抗。换句话说，第一传输线(104)的阻抗受第一传输线(104)和第一接地返回通路间距离的影响。与第一传输线(104)类似，第二传输线(118)具有离第二金属级中形成的第二接地返回通路的第二距离。第二传输线(118)具有对应于第二距离的第二阻抗。换句话说，第二传输线(118)的阻抗受第二传输线(118)和第二接地返回通路间距离的影响。 | ||
| 申请公布号 | CN1599957A | 申请公布日期 | 2005.03.23 |
| 申请号 | CN02822167.2 | 申请日期 | 2002.11.12 |
| 申请人 | 空间工程股份有限公司 | 发明人 | S·楚恩佩包恩帕塔纳;H·S·哈舌米;S·法则尔袍 |
| 分类号 | H01L23/48 | 主分类号 | H01L23/48 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 李家麟 |
| 主权项 | 1.一种包括半导体管芯上制作的第一和第二传输线的结构，所述结构进一步包括：所述第一传输线制作于所述半导体管芯上的再分配层中，所述第一传输线具有离所述半导体管芯中第一金属级中形成的第一接地返回通路的第一距离，所述第一传输线具有对应于所述第一距离的第一阻抗；所述第二传输线制作于所述半导体管芯上的再分配层中，所述第二传输线具有离所述半导体管芯中第二金属级中形成的第二接地返回通路的第二距离，所述第二传输线具有对应于所述第二距离的第二阻抗；当选择所述第一金属级和所述第二金属级使得所述第一距离小于所述第二距离时，所述第一阻抗小于所述第二阻抗。 | ||
| 地址 | 美国马萨诸塞州 | ||